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常见的半导体晶圆（Wafer）量测方法
常见的半导体晶圆（Wafer）量测方法
1.晶圆缺陷粒子检测系统颗粒和缺陷：颗粒和缺陷导致晶圆表面不规则形貌。散射入射光：通过检测散射光来监测颗粒和缺陷。晶圆缺陷检测系统可以通过获取缺陷的（X，Y）坐标来检测晶圆上的物理缺陷（颗粒）和图案缺...
2024-05-27
强强联合｜天恒科仪 × MG3710A 矢量信号发生器，赋能无线通信射频测试
深耕射频微波测试领域，天恒科仪持续为行业客户提供高精度测试测量整体解决方案。本次携手安立MG3710A矢量信号发生器，助力5G、无线通信设备研发与性能验证！关于......
2026-09-22
半导体IGBT在高功率环境中散热方法
绝缘栅双极晶体管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）是新能源转换系统和高压电源开关装置中的关键部件，也是大功率半导体中具有......
2024-05-27
如何正确认知半导体功率器件动态测试参数
我们在选购功率器件动态参数测试系统时，都会先基于各设备厂商提供的参数手册给出的信息进行对比评价，选出备选设备再进行实测验证，最后综合成本、测试能力范围、实测结果......
2024-05-27
常见的半导体晶圆（Wafer）量测方法
1.晶圆缺陷粒子检测系统颗粒和缺陷：颗粒和缺陷导致晶圆表面不规则形貌。散射入射光：通过检测散射光来监测颗粒和缺陷。晶圆缺陷检测系统可以通过获取缺陷的（X，Y）坐......
2024-05-27